PVD-Beschichtungsmaschine für Schmuck

Hard Film Deposition ist die Technologie des Auftragens eines sehr dünnen Materialfilms – zwischen einigen Nanometern und etwa 100 Mikrometern oder der Dicke einiger Atome – auf eine zu beschichtende „Substrat“-Oberfläche oder auf eine zuvor abgeschiedene Beschichtung, um sie zu bilden Schichten. Dünnschichtabscheidungs-Fertigungsprozesse sind das Herzstück der heutigen Halbleiterindustrie, Solarpanels, CDs, Laufwerke und optischen Geräteindustrien.

Dünnschichtabscheidung wird normalerweise in zwei große Kategorien unterteilt – Beschichtungssysteme für chemische Abscheidung und physikalische Dampfabscheidung.

Es gibt viele Arten von Vakuumofen-Magnetron-Sputtern. Jedes hat unterschiedliche Arbeitsprinzipien und Anwendungsobjekte. Eines haben sie jedoch gemeinsam: Die Wechselwirkung zwischen dem Magnetfeld und den Elektronen bewirkt, dass sich die Elektronen spiralförmig um die Targetoberfläche drehen, wodurch die Wahrscheinlichkeit steigt, dass die Elektronen das Argongas treffen und Ionen erzeugen. Die erzeugten Ionen treffen unter der Wirkung eines elektrischen Feldes auf die Targetoberfläche, um das Target herauszusputtern. In der Entwicklung der letzten Jahrzehnte wurden nach und nach Permanentmagnete eingeführt, und Spulenmagnete werden selten verwendet.

Die Zielquelle wird in symmetrische und unsymmetrische Typen unterteilt. Die ausgewogene Zielquelle hat eine gleichmäßige Beschichtung, und die unausgeglichene Zielquellenbeschichtung hat eine starke Bindungskraft mit dem Substrat. Abgeglichene Targetquellen werden meistens für optische Halbleiterfilme verwendet, und unabgeglichene Targets werden meistens für dekorative Verschleißfilme verwendet.

Wenn der Magnet stationär ist, bestimmen seine Magnetfeldeigenschaften unabhängig von Unwucht oder Unwucht, dass die allgemeine Zielnutzungsrate weniger als 30 Prozent beträgt. Um die Ausnutzungsrate des Targetmaterials zu erhöhen, kann ein rotierendes Magnetfeld verwendet werden. Das Drehen des Magnetfelds erfordert jedoch einen Drehmechanismus, und gleichzeitig wird die Sputterrate verringert. Rotierende Magnetfelder werden meist für große oder teure Targets verwendet. Wie das Sputtern von Halbleiterfilmen. Für kleine Geräte und allgemeine Industriegeräte wird häufig die statische Magnetfeld-Zielquelle verwendet.

Es ist einfach, Metalle und Legierungen mit einer Magnetron-Targetquelle in einem Vakuumofen zu sputtern, und Zündung und Sputtern sind sehr bequem. Dies liegt daran, dass das Target (Kathode), das Plasma und das gesputterte Teil/die Vakuumkammer eine Schleife bilden können. Sputtern aber Isolatoren wie Keramik, wird der Stromkreis unterbrochen. Die Leute verwenden also eine Hochfrequenz-Stromversorgung und fügen der Schleife einen starken Kondensator hinzu. Auf diese Weise wird das Targetmaterial zu einem Kondensator in der isolierenden Schaltung. Die Hochfrequenz-Magnetron-Sputter-Stromversorgung ist jedoch teuer, die Sputterrate ist sehr gering und die Erdungstechnologie ist sehr kompliziert, sodass es schwierig ist, sie in großem Maßstab einzusetzen. Um dieses Problem zu lösen, wurde das reaktive Magnetron-Sputtern erfunden. Das heißt, unter Verwendung eines Metalltargets, Hinzufügen von Argon und eines reaktiven Gases wie Stickstoff oder Sauerstoff. Wenn das Metalltarget auf das Teil trifft, verbindet es sich mit dem reaktiven Gas, um aufgrund der Energieumwandlung Nitride oder Oxide zu bilden.

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